2PB1219AR T/R详情
NXP 2PB1219AR T/R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
50 V
Part Package Code
SC-70
Risk Rank
5.2
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Life Cycle Code
Obsolete
Number of Elements
1
Manufacturer
恩智浦半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
2PB1219ART/R
Transition Frequency-Nom (fT)
120 MHz
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
150 °C
Reflow Temperature-Max (s)
40
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Style
小概要
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
容差
0.25 %
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
温度系数
50 ppm/°C
电阻
511 Ω
端子表面处理
TIN
最高工作温度
155 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Thin Film
HTS代码
8541.21.00.75
额定功率
100 mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益(hFE)
120
集电极-发射器电压-最大值
50 V
VCEsat-最大值
0.6 V
集电极-基极电容-最大值
15 pF
高度
550 µm
2PB1219AR T/R拓展信息








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