74HC670DB-T详情
NXP 74HC670DB-T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
16
Package Style
SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
4
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
59 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
74HC670DB-T
Number of Words
4 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
SSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.61
JESD-609代码
e4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
镍钯金
HTS代码
8542.32.00.41
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G16
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
6 V
温度等级
AUTOMOTIVE
电源电压-最小值(Vsup)
2 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
4X4
座位高度-最大
2 mm
内存宽度
4
记忆密度
16 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
源Url状态检查日期
2013-06-14 00:00:00
宽度
5.3 mm
长度
6.2 mm
74HC670DB-T拓展信息








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