NXP 74HCT4852BQ115

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

供应商器件包装

TO-247-3L

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

48A

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V

厂商

PN Junction Semiconductor

Power Dissipation (Max)

188W

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

P3M

技术

SiCFET (Silicon Carbide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

79mOhm @ 20A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 20mA (Typ)

漏源电压 (Vdss)

650 V

Vgs（最大值）

+20V, -8V

场效应管特性

-