BAS31215
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NXP BAS31215

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型号

BAS31215

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BAS31215

商品类别

二极管 - 整流器 - 阵列

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

0.25 A 110 V 2 Element Silicon Signal Diode TO-236AB

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BAS31215 NXP 0.25 A 110 V 2 Element Silicon Signal Diode TO-236AB

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BAS31215详情

NXP BAS31215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • RoHS

    Compliant

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 二极管类型

    Avalanche

  • 正向电流

    250 mA

  • 最大反向漏电电流

    100 nA

  • 最大浪涌电流

    10 A

  • 正向电压

    1.25 V

  • 最大反向电压(DC)

    90 V

  • 平均整流电流

    250 mA

  • 反向恢复时间

    50 ns

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    110 V

  • 峰值非恢复性浪涌电流

    10 A

  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)

    10 A

  • 恢复时间

    50 ns

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

BAS31215拓展信息

BAV99W/DG/B2115
BAV99W/DG/B2115

NXP USA Inc.

1PS66SB82115
1PS66SB82115

NXP USA Inc.

BAT54C/6235
BAT54C/6235

NXP USA Inc.

BAV99W/MI115
BAV99W/MI115

NXP USA Inc.

NUR460P/L02112
NUR460P/L02112

NXP USA Inc.

BAV99/LF1235
BAV99/LF1235

NXP USA Inc.

BAT54A/6235
BAT54A/6235

NXP USA Inc.

BAV99/6235
BAV99/6235

NXP USA Inc.

BAS40-04,235
BAS40-04,235

NXP USA Inc.

BAV99W/DG/B4115
BAV99W/DG/B4115

NXP USA Inc.

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