BAV23C/DG详情
NXP BAV23C/DG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Package
Bulk
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Package Description
R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BAV23C/DG
Power Dissipation (Max)
0.25 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Forward Voltage-Max (VF)
1 V
Risk Rank
5.6
Part Package Code
SOT-23
操作温度
-20°C ~ 70°C
系列
SXT214
尺寸/尺寸
0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
ECCN 代码
EAR99
类型
兆赫晶体
附加功能
HALOGEN FREE
HTS代码
8541.10.00.70
子类别
研磨二极管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
频率
37.4 MHz
频率稳定性
±30ppm
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
ESR(等效串联电阻)
100 Ohms
配置
COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
负载电容
16pF
二极管类型
接收电极
操作模式
Fundamental
频率容差
±30ppm
输出电流-最大值
0.125 A
Rep Pk反向电压-最大值
250 V
JEDEC-95代码
TO-236AB
最大非代表Pk前进电流
9 A
反向恢复时间-最大值
0.05 µs
座位高度(最大)
0.020 (0.50mm)
评级结果
-
BAV23C/DG拓展信息








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