BC849BW/T3
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NXP BC849BW/T3

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型号

BC849BW/T3

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BC849BW/T3

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

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1最小包装量--

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BC849BW/T3
BC849BW/T3 NXP SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

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BC849BW/T3详情

NXP BC849BW/T3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    100 MHz

  • Manufacturer Part Number

    BC849BW/T3

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    恩智浦半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Risk Rank

    5.01

  • Part Package Code

    SC-70

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    TIN

  • 附加功能

    低噪音

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    200

  • 集电极-发射器电压-最大值

    30 V

  • VCEsat-最大值

    0.6 V

  • 集电极-基极电容-最大值

    3 pF

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BC849BW/T3拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS