NXP BC856BS

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, Gull Wing

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

6

供应商器件包装

-

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Base Product Number

LTLMR4

厂商

Lite-On Inc.

Product Status

活跃

Wavelength-dominant

531nm

Collector-Emitter Saturation Voltage

-300 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-65 V

RoHS

Compliant

Risk Rank

5.04

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Samacsys Description

BJT,PNP,dual,65V,100mA,TSSOP6 NXP BC856BS PNP Dual Bipolar Transistor, -100 mA -65 V, 6-Pin SOT-363

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

2

Manufacturer

Nexperia

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

BC856BS

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Rohs Code

有

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Style

小概要

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

系列

-

尺寸/尺寸

4.20mm L x 4.20mm W

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

颜色

Green

最大功率耗散

200 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G6

极性

PNP

配置

共阳极

电压 - 正向 (Vf) (类型)

3V

视角

25°

测试电流

20mA

镜头风格

圆形，带圆顶

晶体管应用

SWITCHING

镜头尺寸

3.65mm Dia

极性/通道类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

65 V

最大集电极电流

100 mA

Millicandela评级

33000mcd

镜头透明度

Diffused

波长 - 峰值

520nm

镜头颜色

Green

转换频率

100 MHz

集电极基极电压(VCBO)

-80 V

发射极基极电压 (VEBO)

-6 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

200

集电极-发射器电压-最大值

65 V

特征

-

宽度

1.35 mm

高度

1.1 mm

长度

2.2 mm

高度(最大)

7.40mm

达到SVHC

无SVHC