NXP BC856W

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-65 V

RoHS

Non-Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

BC856W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Nexperia

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Risk Rank

5.01

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

200 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

极性

PNP

配置

SINGLE

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

转换频率

100 MHz

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

125

集电极-发射器电压-最大值

65 V

达到SVHC

无SVHC