BC857CWT3详情
NXP BC857CWT3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
RoHS
Non-Compliant
Collector-Emitter Saturation Voltage
-250 mV
hFEMin
420
Voltage Rating (DC)
-45 V
包装
Tape & Reel (TR)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
200 mW
额定电流
-100 mA
极性
PNP
元素配置
Single
增益带宽积
100 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
45 V
集电极基极电压(VCBO)
50 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
连续集电极电流
100 mA
无铅
无铅
BC857CWT3拓展信息








哦! 它是空的。