NXP BCM62B
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BCM62B
1786-BCM62B
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TRANSISTOR,PNP/PNP MATCHED,SOT143B, Transistor Polarity:PNP, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V, Power Dissipation Pd:390mW, DC Collector Current:-100mA, DC Current Gain hFE:290hFE, No. of Pins:4Pins, Product Range:- RoHS Compliant: Yes
--最小包装量--
BCM62B详情
NXP BCM62B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-65 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
175 MHz
Risk Rank
1.42
Ihs Manufacturer
NEXPERIA
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
2
Manufacturer
Nexperia
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
BCM62B
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
电阻
422 Ω
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
电流镜
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
最大耗散功率(Abs)
0.39 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
200
集电极-发射器电压-最大值
45 V
VCEsat-最大值
0.4 V
环境耗散-最大值
0.39 W
BCM62B拓展信息







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