NXP BCM856DS/DG

安装类型

通孔

表面安装

YES

材料 - 绝缘

Polyphenylene Sulfide (PPS)

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

857-012

厂商

EDAC Inc.

Product Status

活跃

Contact Materials

Copper Alloy

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

175 MHz

Manufacturer Part Number

BCM856DS/DG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.28

Part Package Code

TSOP

操作温度

-40°C ~ 125°C

系列

857

JESD-609代码

e3

终端

Solder Eyelet(s)

ECCN 代码

EAR99

定位的数量

24

端子表面处理

Tin (Sn)

颜色

Black

行数

2

性别

Female

子类别

其他晶体管

触点类型

半波纹管

螺距

0.156 (3.96mm)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

6

触点表面处理

Gold

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

磁卡种类

Non Specified - Dual Edge

读出

Dual

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

定位/湾/行数

12

法兰特性

Flush Mount, Top Opening, Unthreaded, 0.156 (3.96mm) Dia

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

最大耗散功率(Abs)

0.38 W

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

200

集电极-发射器电压-最大值

65 V

特征

-

触点表面处理厚度

10.0µin (0.25µm)

磁卡厚度

0.054 ~ 0.070 (1.37mm ~ 1.78mm)