NXP BCV61A

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

600 mV

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

BCV61A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Nexperia

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Risk Rank

5.12

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

FOR TRANSISTOR2 HFE IS 110

最大功率耗散

250 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G4

配置

COMMON BASE, 2 ELEMENTS

箱体转运

COLLECTOR

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

100 mA

最高频率

100 MHz

集电极基极电压(VCBO)

30 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

110

集电极-发射器电压-最大值

30 V

宽度

1.4 mm

高度

1 mm

长度

3 mm