BD8/3/10-4S3-P详情
NXP BD8/3/10-4S3-P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件包装
TO-92-3
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
厂商
Fairchild Semiconductor
Product Status
Obsolete
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
功率 - 最大
750 mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 100mA, 2V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 50mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60 V
频率转换
120MHz
BD8/3/10-4S3-P拓展信息








哦! 它是空的。