BF1208D详情
NXP BF1208D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
0603 (1608 Metric)
表面安装
YES
供应商器件包装
0603
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
KOA Speer Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BF1208D
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.77
Drain Current-Max (ID)
0.03 A
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
SG73G
尺寸/尺寸
0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)
容差
±0.25%
JESD-609代码
e3
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±50ppm/°C
电阻
806 Ohms
端子表面处理
TIN
组成
厚膜
功率(瓦特)
0.333W, 1/3W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-F6
资历状况
不合格
失败率
-
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
6 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
源Url状态检查日期
2013-06-14 00:00:00
最高频段
超高频段
特征
Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Pulse Withstanding
功率增益-最小值(Gp)
24 dB
座位高度(最大)
0.022 (0.55mm)
评级结果
-
BF1208D拓展信息








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