BFG425W T/R详情
NXP BFG425W T/R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
24-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
底架
表面贴装
表面安装
YES
供应商器件包装
24-TSSOP
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
DS1685
厂商
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Product Status
Obsolete
Voltage Rating (DC)
4.5 V
RoHS
Compliant
Package Description
PLASTIC PACKAGE-4
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
25000 MHz
Manufacturer Part Number
BFG425WT/R
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
8.02
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
-
包装
切割胶带
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
Clock/Calendar
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
低噪音
子类别
其他晶体管
电压 - 供电
2.7V ~ 3.7V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
额定电流
25 mA
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
界面
Parallel
内存大小
242B
箱体转运
EMITTER
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
0.135 W
集电极电流-最大值(IC)
0.03 A
最小直流增益(hFE)
50
时间格式
HH:MM:SS (12/24 hr)
集电极-发射器电压-最大值
4.5 V
日期格式
YY-MM-DD-dd
最大计时电流
2mA @ 3V
电压 - 供电,电池
2.5V ~ 3.7V
最高频段
L带
环境耗散-最大值
0.135 W
特征
Alarm, NVSRAM, Square Wave Output, Y2K
无铅
无铅
BFG425W T/R拓展信息








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