BGY115D详情
NXP BGY115D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
SiTime
Product Status
活跃
Operating Temperature-Min
-30 °C
Operating Temperature-Max
100 °C
Operating Frequency (Max)
928 MHz
Manufacturer Part Number
BGY115D
Manufacturer
恩智浦半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.84
操作温度
-20°C ~ 70°C
系列
SiT8208
尺寸/尺寸
0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)
类型
XO (Standard)
电压 - 供电
1.8V
结构
COMPONENT
Reach合规守则
unknown
频率
19.2 MHz
频率稳定性
±10ppm
输出量
LVCMOS, LVTTL
功能
Enable/Disable
基本谐振器
MEMS
最大电流源
31mA
电流 - 电源(禁用)(最大值)
30mA
扩频带宽
-
增益
27.8 dB
射频/微波器件类型
窄带中功率
工作频率-最小值
902 MHz
绝对牵引范围 (APR)
-
电压驻波比 - 最大值
3
输入功率-最大(CW)
7 dBm
特性阻抗
50 Ω
座位高度(最大)
0.039 (1.00mm)
评级结果
-
BGY115D拓展信息








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