BLF6G20-110详情
NXP BLF6G20-110重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
0603 (1608 Metric)
表面安装
YES
供应商器件包装
0603
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Base Product Number
RN73R1J
厂商
KOA Speer Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Package Description
ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
225 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLF6G20-110
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.67
Drain Current-Max (ID)
29 A
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
RN73R
尺寸/尺寸
0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)
容差
±1%
无铅代码
有
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±25ppm/°C
电阻
88.7 kOhms
组成
Thin Film
功率(瓦特)
0.1W, 1/10W
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
失败率
-
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
29 A
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
L带
特征
Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
座位高度(最大)
0.022 (0.55mm)
评级结果
AEC-Q200
BLF6G20-110拓展信息








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