BLF6G20-180RN
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NXP BLF6G20-180RN

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型号

BLF6G20-180RN

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BLF6G20-180RN

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

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BLF6G20-180RN详情

NXP BLF6G20-180RN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 材料

    Aluminum

  • 形状

    Square, Fins

  • 包装冷却

    Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)

  • 材料处理

    蓝色阳极氧化

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • Operating Temperature-Max

    225 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BLF6G20-180RN

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    恩智浦半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Risk Rank

    5.84

  • Drain Current-Max (ID)

    49 A

  • 系列

    pushPIN™

  • 零件状态

    活跃

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    顶部安装

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    245

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    R-CDFM-F2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 附着方法

    推销

  • 离底高度(鳍的高度)

    0.590 (15.00mm)

  • 强制空气流动时的热阻

    8.73°C/W @ 100 LFM

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • DS 击穿电压-最小值

    65 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 自然环境下的热阻

    --

  • 最高频段

    L带

  • 温度上升时的耗散功率

    --

  • 宽度

    1.378 (35.00mm)

  • 长度

    1.378 (35.00mm)

  • 直径

    --

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BLF6G20-180RN拓展信息

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SMTA
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