NXP BLF6G27S45

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Package Description

ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2

Package Style

FLATPACK

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BLF6G27S-45

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.05

Drain Current-Max (ID)

20 A

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

R-CDFP-F2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

晶体管应用

AMPLIFIER

漏源电压 (Vdss)

65 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

20 A

栅极至源极电压(Vgs)

13 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20 A

漏源击穿电压

65 V

DS 击穿电压-最小值

65 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

385 mΩ

最高频段

S带