NXP BLS6G2731-6G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SMD, No Lead

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-CDSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BLS6G2731-6G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.63

Drain Current-Max (ID)

3.5 A

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

M675

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.295 L x 0.200 W (7.50mm x 5.08mm)

无铅代码

有

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

类型

VCSO (SAW)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

6 W

电压 - 供电

3.3V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

频率

657.4219MHz

频率稳定性

±100ppm

输出量

LVPECL

引脚数量

2

JESD-30代码

R-CDSO-G2

功能

--

基本谐振器

Crystal

最大电流源

125mA

资历状况

不合格

电流 - 电源（禁用）（最大值）

--

配置

SINGLE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

晶体管应用

AMPLIFIER

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

3.5 A

栅极至源极电压(Vgs)

13 V

漏源击穿电压

60 V

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

绝对牵引范围 (APR)

±100ppm

漏源电阻

1.26 Ω

最高频段

S带

座位高度(最大)

0.120 (3.05mm)

达到SVHC

无SVHC

评级结果

--