NXP BSH103 /T3

包装/外壳

Axial

表面安装

YES

供应商器件包装

Axial

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

RNC55

厂商

Vishay Dale

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSH103/T3

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.08

Drain Current-Max (ID)

0.85 A

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55

尺寸/尺寸

0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)

容差

±1%

JESD-609代码

e3

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±50ppm/°C

电阻

20.5 Ohms

端子表面处理

TIN

组成

Metal Film

功率(瓦特)

0.125W, 1/8W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

失败率

S (0.001%)

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.5 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

特征

Military, Moisture Resistant, Weldable

座位高度(最大)

-