BSH108
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NXP BSH108

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型号

BSH108

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BSH108

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 / N-channel enhancement mode field-effect transistor

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BSH108 NXP Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 / N-channel enhancement mode field-effect transistor

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BSH108详情

NXP BSH108重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    面板安装

  • 表面安装

    YES

  • 越来越多的功能

    Flange

  • 外壳材料

    铝合金

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Voltage, Rating

    600VAC, 850VDC

  • Package

    Bulk

  • Primary Material

    Metal

  • Base Product Number

    KPSE

  • 厂商

    ITT Cannon, LLC

  • Product Status

    活跃

  • Contact Finish Mating

    Gold

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Style

    小概要

  • Drain Current-Max (ID)

    1.9 A

  • Risk Rank

    5.11

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Number of Elements

    1

  • Manufacturer

    恩智浦半导体

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer Part Number

    BSH108

  • Rohs Code

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • 操作温度

    -55°C ~ 125°C

  • 系列

    KPSE

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • 终端

    Crimp

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 连接器类型

    Receptacle, Female Sockets

  • 定位的数量

    6

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 颜色

    橄榄色

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 紧固类型

    卡口锁

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 额定电流

    7.5A

  • 端子位置

    DUAL

  • 方向

    W

  • 终端形式

    鸥翼

  • 屏蔽/屏蔽

    -

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 入口保护

    -

  • Reach合规守则

    compliant

  • 外壳完成

    橄榄色镉

  • 外壳尺寸-插入

    10-6

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 外壳尺寸,MIL

    -

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-236AB

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    1.9 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.14 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.83 W

  • 特征

    Backshell

  • 触点表面处理厚度 - 配套

    50.0µin (1.27µm)

0个相似型号

BSH108拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
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