BSH108详情
NXP BSH108重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
面板安装
表面安装
YES
越来越多的功能
Flange
外壳材料
铝合金
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
600VAC, 850VDC
Package
Bulk
Primary Material
Metal
Base Product Number
KPSE
厂商
ITT Cannon, LLC
Product Status
活跃
Contact Finish Mating
Gold
RoHS
Non-Compliant
Package Style
小概要
Drain Current-Max (ID)
1.9 A
Risk Rank
5.11
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Life Cycle Code
Transferred
Number of Elements
1
Manufacturer
恩智浦半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
BSH108
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
150 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Moisture Sensitivity Levels
1
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
KPSE
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
终端
Crimp
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
Receptacle, Female Sockets
定位的数量
6
端子表面处理
Tin (Sn)
颜色
橄榄色
附加功能
逻辑电平兼容
紧固类型
卡口锁
子类别
FET 通用电源
额定电流
7.5A
端子位置
DUAL
方向
W
终端形式
鸥翼
屏蔽/屏蔽
-
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
入口保护
-
Reach合规守则
compliant
外壳完成
橄榄色镉
外壳尺寸-插入
10-6
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
外壳尺寸,MIL
-
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.9 A
漏极-源极导通最大电阻
0.14 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.83 W
特征
Backshell
触点表面处理厚度 - 配套
50.0µin (1.27µm)
BSH108拓展信息








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