BSP31T/R详情
NXP BSP31T/R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
BSP31T/R
Turn-on Time-Max (ton)
500 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Turn-off Time-Max (toff)
650 ns
Risk Rank
5.14
Part Package Code
SC-73
操作温度
-10°C ~ 70°C
系列
SXT224
尺寸/尺寸
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
兆赫晶体
端子表面处理
TIN
HTS代码
8541.29.00.75
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
频率
13 MHz
频率稳定性
±50ppm
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
ESR(等效串联电阻)
120 Ohms
配置
SINGLE
负载电容
13pF
操作模式
Fundamental
箱体转运
COLLECTOR
频率容差
±50ppm
极性/通道类型
PNP
最大耗散功率(Abs)
1.5 W
集电极电流-最大值(IC)
1 A
最小直流增益(hFE)
50
集电极-发射器电压-最大值
60 V
VCEsat-最大值
0.5 V
集电极-基极电容-最大值
20 pF
座位高度(最大)
0.026 (0.65mm)
评级结果
-
BSP31T/R拓展信息








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