NXP BST110

安装类型

表面贴装

包装/外壳

非标准 SMD

表面安装

NO

供应商器件包装

Mini-PLAD

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD7.5

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

,

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

BST110

Manufacturer

Philips Semiconductors

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

飞利浦半导体

Risk Rank

8.53

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e0

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

通用型

子类别

其他晶体管

Reach合规守则

unknown

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

电源线保护

无

电压 - 击穿

22.2V

功率 - 脉冲峰值

7500W (7.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

231A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

32.4V

电压 - 反向断态（典型值）

20V

极性/通道类型

P-CHANNEL

双向通道

1

电容@频率

-

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.25 A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.83 W