NXP BST51115

底架

表面贴装

触点镀层

Tin

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.3 V

RoHS

Compliant

Number of Elements

1

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

1.3 W

极性

NPN

元素配置

Single

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

1 A

转换频率

200 MHz

最大击穿电压

60 V

集电极基极电压(VCBO)

80 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

辐射硬化

无

无铅

无铅