BTA2008-600E详情
NXP BTA2008-600E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
NO
终端数量
3
Package
Strip
厂商
SiTime
Product Status
活跃
Package Description
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BTA2008-600E
Package Shape
ROUND
Manufacturer
WeEn Semiconductor Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
WEEN SEMICONDUCTORS CO LTD
Risk Rank
5.2
操作温度
-20°C ~ 70°C
系列
SiT1602B
尺寸/尺寸
0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)
JESD-609代码
e3
类型
XO (Standard)
端子表面处理
TIN
附加功能
SENSITIVE GATE
电压 - 供电
3.3V
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
频率
24.576 MHz
频率稳定性
±50ppm
输出量
HCMOS, LVCMOS
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
O-PBCY-T3
功能
-
基本谐振器
MEMS
最大电流源
4.5mA
配置
SINGLE
扩频带宽
-
JEDEC-95代码
TO-92
触发装置类型
4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
绝对牵引范围 (APR)
-
重复峰值关态电压
600 V
均方根通态电流-最大值
0.8 A
座位高度(最大)
0.039 (1.00mm)
评级结果
-
BTA2008-600E拓展信息








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