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NXP BUJ302A

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对比

型号

BUJ302A

品牌

utmel 编号

1786-BUJ302A

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR, NPN, 4A, 1050V, TO220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.05kV; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:66; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes

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BUJ302A

BUJ302A NXP TRANSISTOR, NPN, 4A, 1050V, TO220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.05kV; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:66; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes

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BUJ302A详情

技术参数

NXP BUJ302A重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Ihs Manufacturer

WEEN SEMICONDUCTORS CO LTD
Manufacturer

WeEn Semiconductor Co Ltd
Manufacturer Part Number

BUJ302A
Moisture Sensitivity Levels

1
Number of Elements

1
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Description

SC-46, 3 PIN
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
Part Life Cycle Code

活跃
Reflow Temperature-Max (s)

30
Risk Rank

5.39
JESD-609代码

e3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

TIN
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE
箱体转运

COLLECTOR
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

NPN
JEDEC-95代码

TO-220AB
集电极电流-最大值(IC)

4 A
最小直流增益（hFE）

25
集电极-发射器电压-最大值

400 V

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BUJ302A拓展信息

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