BUJ302AD详情
NXP BUJ302AD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
0603 (1608 Metric)
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
3
供应商器件包装
0603
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Base Product Number
RN73R1J
厂商
KOA Speer Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400 V
RoHS
Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Manufacturer Part Number
BUJ302AD
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
WeEn Semiconductor Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
WEEN SEMICONDUCTORS CO LTD
Risk Rank
5.41
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
RN73R
尺寸/尺寸
0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)
容差
±1%
JESD-609代码
e3
终止次数
2
温度系数
±100ppm/°C
电阻
11.8 Ohms
端子表面处理
TIN
最高工作温度
150 °C
组成
Thin Film
功率(瓦特)
0.1W, 1/10W
HTS代码
8541.29.00.75
最大功率耗散
80 W
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
失败率
-
极性
NPN
配置
SINGLE
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
400 V
最大集电极电流
4 A
JEDEC-95代码
TO-252
发射极基极电压 (VEBO)
24 V
集电极电流-最大值(IC)
4 A
最小直流增益(hFE)
25
集电极-发射器电压-最大值
400 V
特征
Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
座位高度(最大)
0.022 (0.55mm)
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
达到SVHC
无SVHC
评级结果
AEC-Q200
BUJ302AD拓展信息








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