BUK1M200-50SDLD详情
NXP BUK1M200-50SDLD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
Package
Bulk
厂商
PEI-Genesis
Product Status
活跃
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BUK1M200-50SDLD
Manufacturer
Philips Semiconductors
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
飞利浦半导体
Risk Rank
5.75
系列
*
JESD-609代码
e4
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
子类别
FET 通用电源
Reach合规守则
unknown
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.7 A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
9.4 W
BUK1M200-50SDLD拓展信息








哦! 它是空的。