BUK45360B
BUK45360B

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

NXP BUK45360B

  • 收藏
  • 对比

型号

BUK45360B

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BUK45360B

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,...

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
BUK45360B
BUK45360B NXP Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,...

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

BUK45360B详情

NXP BUK45360B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    CAR31

  • 厂商

    ITT Cannon, LLC

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    ,

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BUK453-60B

  • Manufacturer

    Philips Semiconductors

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    飞利浦半导体

  • Risk Rank

    8.68

  • 系列

    MIL-DTL-5015, CA

  • JESD-609代码

    e0

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 子类别

    FET 通用电源

  • Reach合规守则

    unknown

  • 配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    20 A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    75 W

0个相似型号

BUK45360B拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS