NXP BUK565-200A

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

50 V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

BUK565-200A

Turn-on Time-Max (ton)

115 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Turn-off Time-Max (toff)

235 ns

Risk Rank

5.92

Drain Current-Max (ID)

14 A

容差

0.5 %

ECCN 代码

EAR99

温度系数

50 ppm/°C

电阻

28.7 Ω

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

附加功能

逻辑电平兼容

子类别

FET 通用电源

额定功率

100 mW

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

14 A

漏极-源极导通最大电阻

0.23 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

56 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

100 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

125 W

反馈上限-最大值 (Crss)

80 pF

环境耗散-最大值

125 W

高度

550 µm