BUK6210-55C
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NXP BUK6210-55C

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型号

BUK6210-55C

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BUK6210-55C

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET,N CH,55V,55A,SOT428; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):8.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V

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BUK6210-55C NXP MOSFET,N CH,55V,55A,SOT428; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):8.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V

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BUK6210-55C详情

NXP BUK6210-55C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 材料

    Aluminum

  • 形状

    Square, Fins

  • 包装冷却

    Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)

  • 材料处理

    蓝色阳极氧化

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    PLASTIC, SC-63, DPAK-3

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BUK6210-55C

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    恩智浦半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Risk Rank

    5.74

  • Part Package Code

    TO-252

  • Drain Current-Max (ID)

    78 A

  • 系列

    pushPIN™

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    顶部安装

  • 端子表面处理

    TIN

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 附着方法

    推销

  • 离底高度(鳍的高度)

    1.378 (35.00mm)

  • 强制空气流动时的热阻

    2.90°C/W @ 100 LFM

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-252

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0145 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    311 A

  • DS 击穿电压-最小值

    55 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    94 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 自然环境下的热阻

    --

  • 温度上升时的耗散功率

    --

  • 宽度

    1.575 (40.00mm)

  • 长度

    1.575 (40.00mm)

  • 直径

    --

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BUK6210-55C拓展信息

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公司资质

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