BUK7107-55ATE
BUK7107-55ATE

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

NXP BUK7107-55ATE

  • 收藏
  • 对比

型号

BUK7107-55ATE

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BUK7107-55ATE

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BUK7107-55ATE datasheet pdf and Unclassified product details from NXP stock available at utmel

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
BUK7107-55ATE
BUK7107-55ATE NXP

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

BUK7107-55ATE详情

NXP BUK7107-55ATE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    D2PAK-5

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BUK7107-55ATE

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Nexperia

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    NEXPERIA

  • Risk Rank

    5.21

  • Drain Current-Max (ID)

    140 A

  • 系列

    *

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    245

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G4

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.007 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    560 A

  • DS 击穿电压-最小值

    55 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    460 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0个相似型号

BUK7107-55ATE拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS