NXP BUK755R4-100E

安装类型

面板安装

表面安装

NO

越来越多的功能

Flange

外壳材料

铝合金

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

-

Package

Bulk

Primary Material

Metal

Base Product Number

KJB0T

厂商

ITT Cannon, LLC

Product Status

活跃

Contact Finish Mating

Gold

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUK755R4-100E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Nexperia

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Risk Rank

6.44

Drain Current-Max (ID)

120 A

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

KJB

JESD-609代码

e3

终端

Crimp

ECCN 代码

EAR99

连接器类型

Receptacle, Male Pins

定位的数量

3

端子表面处理

Tin (Sn)

颜色

橄榄色

附加功能

雪崩 额定

紧固类型

Threaded

额定电流

-

端子位置

SINGLE

方向

C

终端形式

THROUGH-HOLE

屏蔽/屏蔽

-

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

入口保护

抗环境干扰

Reach合规守则

not_compliant

外壳完成

橄榄色镉

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

外壳尺寸-插入

9-98

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

外壳尺寸，MIL

-

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.0052 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

631 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

387 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

特征

-

触点表面处理厚度 - 配套

50.0µin (1.27µm)