BUK7606-30详情
NXP BUK7606-30重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Axial
表面安装
YES
供应商器件包装
Axial
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
BUK7606-30
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.83
Drain Current-Max (ID)
75 A
包装
Tape & Box (TB)
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
MBA/SMA 0204 - Professional
尺寸/尺寸
0.063 Dia x 0.142 L (1.60mm x 3.60mm)
容差
±0.1%
零件状态
活跃
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±25ppm/°C
电阻
20 kOhms
组成
Thin Film
功率(瓦特)
0.4W
附加功能
防静电
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
失败率
--
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.006 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
240 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
500 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
Automotive AEC-Q200
座位高度(最大)
--
BUK7606-30拓展信息








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