NXP BUK7618-55 /T3

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

175 °C

Manufacturer Part Number

BUK7618-55/T3

Turn-on Time-Max (ton)

82 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Turn-off Time-Max (toff)

88 ns

Risk Rank

5.13

Drain Current-Max (ID)

57 A

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.018 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

228 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

125 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

250 pF

环境耗散-最大值

125 W