BUK762R6-40E
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NXP BUK762R6-40E

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型号

BUK762R6-40E

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BUK762R6-40E

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET, N-CH, 40V, 100A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on

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BUK762R6-40E
BUK762R6-40E NXP MOSFET, N-CH, 40V, 100A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on

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BUK762R6-40E详情

NXP BUK762R6-40E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Drain Current-Max (ID)

    100 A

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Manufacturer

    恩智浦半导体

  • Manufacturer Part Number

    BUK762R6-40E

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Description

    PLASTIC, D2PAK-3/2

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Risk Rank

    5.74

  • Rohs Code

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    TIN

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    245

  • Reach合规守则

    unknown

  • 参考标准

    AEC-Q101; IEC-60134

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0026 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    920 A

  • DS 击穿电压-最小值

    40 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    574 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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BUK762R6-40E拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS