NXP BUK7K6R8-40E

表面安装

YES

引脚数

8

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUK7K6R8-40E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Nexperia

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

NEXPERIA - BUK7K6R8-40E - MOSFET, N-CH, 40V, 40A, LFPAK56D

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Risk Rank

5.36

Drain Current-Max (ID)

40 A

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

电阻

5.8 mΩ

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

64 W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

40 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

40 A

阈值电压

3 V

漏极-源极导通最大电阻

0.0068 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

276 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

130 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

栅源电压

3 V

达到SVHC

无SVHC