NXP BUK961R4-30E

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-214AB, SMC

表面安装

YES

供应商器件包装

DO-214AB (SMC)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

SMCJ18

厂商

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Product Status

Discontinued at Digi-Key

Package Description

D2PAK-3/2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUK961R4-30E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Nexperia

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Risk Rank

5.83

Drain Current-Max (ID)

120 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101, TransZorb®

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

应用

Automotive, Telecom

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

电源线保护

无

电压 - 击穿

20V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

51.4A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

29.2V

电压 - 反向断态（典型值）

18V

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

双向通道

1

电容@频率

-

漏极-源极导通最大电阻

0.0014 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1513 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

1380 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR