BUK968R3-40E详情
NXP BUK968R3-40E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
1210 (3225 Metric)
表面安装
YES
供应商器件包装
1210
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
SG73S2
厂商
KOA Speer Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BUK968R3-40E
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.84
Drain Current-Max (ID)
75 A
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
SG73S
尺寸/尺寸
0.126 L x 0.102 W (3.20mm x 2.60mm)
容差
±1%
JESD-609代码
e3
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±200ppm/°C
电阻
7.68 Ohms
端子表面处理
TIN
组成
厚膜
功率(瓦特)
0.5W, 1/2W
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
unknown
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PSSO-G2
失败率
-
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0079 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
319 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
43.9 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Pulse Withstanding
座位高度(最大)
0.028 (0.70mm)
评级结果
AEC-Q200
BUK968R3-40E拓展信息








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