BUK968R3-40E
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NXP BUK968R3-40E

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型号

BUK968R3-40E

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BUK968R3-40E

商品类别

无类别的

封装

1210 (3225 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

):0.005ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V; Power Dissipation Pd:96W; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3Pins; Operating

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BUK968R3-40E NXP ):0.005ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V; Power Dissipation Pd:96W; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3Pins; Operating

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BUK968R3-40E详情

NXP BUK968R3-40E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    1210 (3225 Metric)

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    1210

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    SG73S2

  • 厂商

    KOA Speer Electronics, Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BUK968R3-40E

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    恩智浦半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Risk Rank

    5.84

  • Drain Current-Max (ID)

    75 A

  • 操作温度

    -55°C ~ 155°C

  • 系列

    SG73S

  • 尺寸/尺寸

    0.126 L x 0.102 W (3.20mm x 2.60mm)

  • 容差

    ±1%

  • JESD-609代码

    e3

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 温度系数

    ±200ppm/°C

  • 电阻

    7.68 Ohms

  • 端子表面处理

    TIN

  • 组成

    厚膜

  • 功率(瓦特)

    0.5W, 1/2W

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    245

  • Reach合规守则

    unknown

  • 参考标准

    AEC-Q101; IEC-60134

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 失败率

    -

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0079 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    319 A

  • DS 击穿电压-最小值

    40 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    43.9 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 特征

    Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Pulse Withstanding

  • 座位高度(最大)

    0.028 (0.70mm)

  • 评级结果

    AEC-Q200

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BUK968R3-40E拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS