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BUK969R0-60E

BUK969R0-60E

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NXP BUK969R0-60E

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对比

型号

BUK969R0-60E

品牌

utmel 编号

1786-BUK969R0-60E

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018); Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to 175°C

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BUK969R0-60E

BUK969R0-60E NXP ; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018); Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to 175°C

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BUK969R0-60E详情

技术参数

NXP BUK969R0-60E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

SILICON
Drain Current-Max (ID)

75 A
Ihs Manufacturer

NEXPERIA
Manufacturer

Nexperia
Manufacturer Part Number

BUK969R0-60E
Moisture Sensitivity Levels

1
Number of Elements

1
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
Part Life Cycle Code

活跃
Risk Rank

5.36
Rohs Code

有
JESD-609代码

e3
端子表面处理

Tin (Sn)
附加功能

雪崩额定
端子位置

SINGLE
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

not_compliant
参考标准

AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码

R-PSSO-G2
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.009 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

333 A
DS 击穿电压-最小值

60 V
雪崩能量等级（Eas）

86 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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