NXP BUK9E0655A

生命周期状态

Production (Last Updated: 3 days ago)

底架

Axial

表面安装

NO

质量

240.007063 mg

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Voltage, Rating

350 V

Package Description

PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUK9E06-55A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.21

Part Package Code

TO-262AA

Drain Current-Max (ID)

75 A

包装

Bulk

容差

0.1 %

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

终止次数

2

终端

Axial

ECCN 代码

EAR99

温度系数

100 ppm/°C

电阻

13.3 kΩ

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Metal Film, Thin Film

子类别

FET 通用电源

额定功率

250 mW

最大功率耗散

250 mW

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

弱电

Compliant

操作模式

增强型MOSFET

电阻数

1

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-262AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

154 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0067 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

616 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

1100 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

300 W

直径

2.5 mm

长度

7.1882 mm