BUK9K134-100E详情
NXP BUK9K134-100E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-214AA (SMB)
表面安装
YES
供应商器件包装
-
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Meritek
Product Status
活跃
Drain Current-Max (ID)
8.5 A
Risk Rank
5.39
Ihs Manufacturer
NEXPERIA
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
2
Manufacturer
Nexperia
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
BUK9K134-100E
Rohs Code
有
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Style
小概要
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
操作温度
-55°C ~ 150°C
系列
SMBJ
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
Tin (Sn)
应用
通用型
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
电源线保护
-
电压 - 击穿
44.4V
功率 - 脉冲峰值
600W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
8.4A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
71.4V
电压 - 反向断态(典型值)
40V
晶体管应用
SWITCHING
单向通道
1
极性/通道类型
N-CHANNEL
电容@频率
-
漏极-源极导通最大电阻
0.159 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
34 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
12.6 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
BUK9K134-100E拓展信息








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