BUK9K52-60E详情
NXP BUK9K52-60E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BUK9K52-60E
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Nexperia
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NEXPERIA
Risk Rank
5.35
Drain Current-Max (ID)
16 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PSSO-G4
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.055 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
64 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
11.9 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
BUK9K52-60E拓展信息








哦! 它是空的。