BUK9Y104-100B
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NXP BUK9Y104-100B

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型号

BUK9Y104-100B

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BUK9Y104-100B

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive 5-Pin(4 Tab) LFPAK

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BUK9Y104-100B NXP Trans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive 5-Pin(4 Tab) LFPAK

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BUK9Y104-100B详情

NXP BUK9Y104-100B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T4

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BUK9Y104-100B

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Nexperia

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    NEXPERIA

  • Risk Rank

    5.38

  • Drain Current-Max (ID)

    14.8 A

  • 系列

    *

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 端子表面处理

    TIN

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T4

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    MO-235

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.107 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    59 A

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    35 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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BUK9Y104-100B拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS