NXP BUK9Y3R5-40E

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

150 V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUK9Y3R5-40E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Nexperia

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Risk Rank

5.37

Drain Current-Max (ID)

100 A

容差

0.5 %

JESD-609代码

e3

温度系数

25 ppm/°C

电阻

22.9 kΩ

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

附加功能

雪崩 额定

额定功率

250 mW

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PSSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

MO-235

漏极-源极导通最大电阻

0.0038 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

591 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

135 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

高度

650 µm