NXP BUZ54

表面安装

NO

材料

Aluminum

形状

Square, Fins

包装冷却

Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)

材料处理

蓝色阳极氧化

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

BUZ54

Turn-on Time-Max (ton)

205 ns

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Siemens

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

西门子 A G

Turn-off Time-Max (toff)

690 ns

Risk Rank

5.8

Drain Current-Max (ID)

5.1 A

系列

pushPIN™

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

类型

顶部安装

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

附着方法

推销

离底高度(鳍的高度)

0.984 (25.00mm)

强制空气流动时的热阻

2.90°C/W @ 100 LFM

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-204AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.1 A

漏极-源极导通最大电阻

2 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20 A

DS 击穿电压-最小值

1000 V

雪崩能量等级（Eas）

850 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

125 W

自然环境下的热阻

--

反馈上限-最大值 (Crss)

40 pF

温度上升时的耗散功率

--

环境耗散-最大值

125 W

宽度

2.126 (54.00mm)

长度

2.126 (54.01mm)

直径

--