NXP BZV55C180

安装类型

面板安装

表面安装

YES

房屋材料

Liquid Crystal Polymer (LCP)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

外壳材料，完成

Aluminum, Nickel Plated, Electroless

Lead Free Status / RoHS Status

--

Voltage, Rating

--

Contact Materials

Copper Alloy

Package Description

O-LELF-R2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

180 V

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BZV55C180

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SANGDEST MICROELECTRONICS (NANJING) CO LTD

Risk Rank

5.54

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

83513-Style Micro D Metal Shell (MDM)

包装

Bulk

零件状态

活跃

终端

电线引线

连接器类型

Receptacle, Female Sockets

定位的数量

9

颜色

--

行数

2

触点类型

Signal

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

入口保护

--

Reach合规守则

compliant

额定电流

3A

触点表面处理

Gold

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

线规

--

配置

SINGLE

法兰特性

Housing/Shell (Unthreaded)

连接器样式

D-Type, Micro-D

二极管类型

泽纳电极

箱体转运

ISOLATED

触点形式

--

外壳尺寸，连接器布局

0.050 Pitch x 0.043 Row to Row

最大电压允差

6.41%

工作测试电流

1 mA

后退间距

--

特征

Shielded

触点表面处理厚度

--

材料可燃性等级

--