NXP MMBD4148，215

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-236AB

RoHS

Compliant

Package

Bulk

厂商

恩智浦半导体

Product Status

活跃

系列

-

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

250 mW

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

500 nA @ 75 V

功率耗散

250 kW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.25 V @ 150 mA

正向电流

215 mA

最大反向漏电电流

500 nA

工作温度 - 结点

150°C (Max)

最大浪涌电流

4 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

75 V

平均整流电流（Io）

215mA

正向电压

1.25 V

最大反向电压（DC）

75 V

平均整流电流

215 mA

齐纳电压

36 V

反向恢复时间

4 ns

峰值反向电流

500 nA

最大重复反向电压(Vrrm)

75 V

电容@Vr, F

1.5pF @ 0V, 1MHz

峰值非恢复性浪涌电流

4 A

恢复时间

4 ns

反向恢复时间(trr)

4 ns

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅