MRF8S21172HR3详情
NXP MRF8S21172HR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Screw
表面安装
YES
引脚数
780
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
70 V
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Manufacturer Package Code
CASE 465-06
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MRF8S21172HR3
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
飞思卡尔半导体
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.7
ECCN 代码
5A991
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
HTS代码
8541.29.00.75
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
频率
960 MHz
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
输出功率
65 W
晶体管应用
AMPLIFIER
测试电流
1.6 A
漏源电压 (Vdss)
65 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
栅极至源极电压(Vgs)
10 V
增益
19.4 dB
最高频率
2.17 GHz
漏源击穿电压
65 V
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
S带
测试电压
28 V
MRF8S21172HR3拓展信息








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